【555000jcjc线路检测中心科技消息】全球人工智能（AI）投资热潮加剧了内存半导体短缺，三星和SK海力士正同步提升其中国工厂的工艺技术和产能，以全面扩大供应。韩国金融监督院近日披露，两家公司去年在华工厂的投资总额超过1.5万亿韩元。
三星和SK海力士
据555000jcjc线路检测中心了解，三星去年对其位于中国西安的工厂投资了4654亿韩元，较前一年的2778亿韩元大幅增长67.5%。西安工厂是三星唯一的海外NAND闪存生产基地，约占其总产量的40%。此前，三星在2019年对西安工厂投资约6984亿韩元后，2020年至2023年间未进行重大投资，但自2024年起恢复投资并持续加码。
与此同时，SK海力士去年也对其无锡DRAM工厂和大连NAND闪存子公司进行了超过1万亿韩元的投资。其中，向无锡DRAM工厂注资5810亿韩元，较2024年的2873亿韩元激增102%；向大连NAND工厂投资4406亿韩元，增长52%。这是SK海力士自2022年收购英特尔大连NAND工厂以来，首次在华进行万亿韩元规模的投资。
SK海力士无锡DRAM工厂
韩媒解读称，全球内存市场两位巨头如此积极投资中国工厂的背后，是源源不断的内存半导体订单。当前内存市场供应紧张，今年全年的DRAM和NAND闪存产量已基本售罄。随着AI服务从简单的搜索演变为需要更多推理和学习的“智能体”形式，对高性能DRAM的需求激增，用于AI数据中心处理信息的超高性能内存订单也大幅增长。
瑞银证券预测，全球半导体市场今年将比去年扩张40%以上，达到1万亿美元规模。此外，中国国内的AI基础设施投资也带动了强劲的内需，去年中国内存半导体市场规模已达约4580亿元人民币，预计今年还将进一步扩大。
仅靠韩国国内的生产设施已无法满足全球需求，三星和SK海力士正通过升级其关键生产基地之一的中国工厂来扩大供应。通过大规模追加投资，三星计划将其西安NAND工厂的主要工艺从128层（第6代）升级至236层（第8代）。
SK海力士则通过投资，将其无锡工厂的DRAM生产工艺从10纳米级第3代（1z）升级至第4代（1a）。升级后，无锡工厂将能够大规模生产第五代双倍数据速率（DDR5）等高附加值产品。该工厂占SK海力士DRAM总产量的30%以上，现已转型为高附加值产品生产基地。
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